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一款高三階交調(diào)點(diǎn)的GaAs射頻放大器

  • 介紹了一款滿足于5G通信發(fā)展要求，工作頻率高增益，高線性度，高三階交調(diào)點(diǎn)的射頻放大器的設(shè)計(jì)。采用砷化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達(dá)林頓結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)。在原有結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，添加了偏置結(jié)構(gòu)，一方面提高了放大器工作狀態(tài)的線性度，提高了三階交調(diào)點(diǎn)指標(biāo)；另一方面保證晶體管工作電流在-55℃，125℃工作狀態(tài)下保持穩(wěn)定。放大器能夠工作在10 MHz~4 GHz，輸出三階交調(diào)點(diǎn)達(dá)到40 dBm，線性度高，適用于5G通信信號(hào)處理系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字： 202306  射頻放大器  GaAs HBT  三階交調(diào)點(diǎn)  高線性度  

一款應(yīng)用于Wi-Fi?6E設(shè)備的GaAs?HBT功率 放大器

  • 摘要：針對(duì)WIFI 6E頻段的設(shè)備需求，設(shè)計(jì)了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體 管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級(jí)放大拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，采用自適應(yīng)偏置電路結(jié)構(gòu)解決HBT晶體管在 大功率輸入下偏置點(diǎn)變化及自熱效應(yīng)引起增益及線性度惡化的問(wèn)題。測(cè)試結(jié)果表明，在5.9?GHz~7.2?GHz頻段 內(nèi)，功率放大器增益＞27?dB，輸出飽和功率＞1?W，附加效率＞24 %，芯片面積：1.24?mm×1.27?mm。關(guān)鍵詞：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
  • 關(guān)鍵字： 202206  功率放大器  WIFI 6E  GaAs HBT  

Strategy Analytics：蜂窩應(yīng)用推動(dòng)RF GaAs收益超8億美元

  • 　　在經(jīng)歷2016年相對(duì)平穩(wěn)的一年之后，2017年RF GaAs設(shè)備市場(chǎng)收益增長(zhǎng)了超過(guò)7%。盡管GaAs設(shè)備被應(yīng)用在各種商業(yè)和國(guó)防應(yīng)用中，但無(wú)線市場(chǎng)仍然是該技術(shù)的主要用戶。 移動(dòng)手機(jī)將繼續(xù)定義收益軌跡，但新興的5G網(wǎng)絡(luò)部署將有助于未來(lái)的增長(zhǎng)。 Strategy Analytics高級(jí)半導(dǎo)體應(yīng)用(ASA)服務(wù)最新發(fā)布的研究報(bào)告《RF GaAs設(shè)備行業(yè)預(yù)測(cè)：2017年 - 2022年》預(yù)測(cè)，RF GaAs收益將在預(yù)測(cè)期結(jié)束時(shí)突破90億美元的里程碑?！　trategy Analytics高級(jí)半導(dǎo)體應(yīng)用(ASA
  • 關(guān)鍵字： RF  GaAs  

ADI收購(gòu)寬帶GaAs和GaN放大器專業(yè)公司OneTree Microdevices

  • 　　Analog?Devices,?Inc.?今日宣布收購(gòu)位于美國(guó)加利福尼亞州Santa?Rosa的OneTree?Microdevices公司。ADI公司是業(yè)界領(lǐng)先的混合信號(hào)解決方案供應(yīng)商，提供從數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、時(shí)鐘到控制/電源調(diào)節(jié)等電纜接入解決方案。OneTree?Microdevices的GaAs和GaN放大器具有業(yè)內(nèi)最佳的線性度、輸出功率和效率，收購(gòu)該公司及產(chǎn)品組合后，使ADI公司能夠支持下一代電纜接入網(wǎng)絡(luò)的整個(gè)信號(hào)鏈。該筆交易的財(cái)務(wù)條款未予
  • 關(guān)鍵字： ADI  GaAs  

高通搶進(jìn)GaAs制程PA市場(chǎng) 穩(wěn)懋順利搶下代工大單

  • 　　美國(guó)高通(Qualcomm)宣布推出一系列全面性的射頻前端(RFFE)解決方案，包括首度推出砷化鎵(GaAs)多模功率放大器(MMPA)模塊，與首款支持載波聚合(Carrier Aggregation，CA)的動(dòng)態(tài)天線調(diào)諧解決方案。 　　   　　穩(wěn)懋月合并營(yíng)收 　　據(jù)了解，高通為搶攻GaAs的功率放大器市場(chǎng)大餅已擴(kuò)大委外，臺(tái)灣GaAs晶圓代工廠穩(wěn)懋勇奪代工大單。 穩(wěn)懋是全球最大GaAs晶圓代工廠，多數(shù)智能手機(jī)內(nèi)建PA或RF(射頻)組件皆由穩(wěn)懋代工。 法人表示，穩(wěn)懋近期股價(jià)表現(xiàn)強(qiáng)
  • 關(guān)鍵字： 高通  GaAs  

石墨烯中的電子表現(xiàn)得像光一樣 甚至更好

  • 　　由哥倫比亞大學(xué)物理學(xué)助理教授Cory Dean，弗吉尼亞大學(xué)電氣和計(jì)算機(jī)工程教授Avik Ghosh以及哥倫比亞大學(xué)Wang Fong-Jen名譽(yù)工程教授James Hone領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)，第一次直接觀察到了在電子通過(guò)導(dǎo)電材料中兩個(gè)區(qū)域之間的邊界時(shí)發(fā)生了負(fù)折射。這種效應(yīng)在2007年首次被預(yù)測(cè)，但一直以來(lái)都難以從實(shí)驗(yàn)上來(lái)證實(shí)。研究人員現(xiàn)在能夠在石墨烯中觀察到了這種效應(yīng)，證明在原子級(jí)別的厚度的材料中，電子表現(xiàn)得像光線一樣，可以通過(guò)透鏡和棱鏡等光學(xué)器件進(jìn)行操縱。這項(xiàng)發(fā)表9月30日的《科學(xué)》雜志上的研究結(jié)果可
  • 關(guān)鍵字： 石墨烯  GaAs  

5G和軍工雙輪驅(qū)動(dòng)化合物半導(dǎo)體業(yè)爆發(fā)

  • 5G已經(jīng)成為通信領(lǐng)域里的重點(diǎn)研究對(duì)象，5G 標(biāo)淮引爆全球群英戰(zhàn)，美國(guó)率先完成 5G 頻譜分配，在 5G 標(biāo)淮制定中誰(shuí)掌握話語(yǔ)權(quán)，將會(huì)在新一代移動(dòng)通信技術(shù)革命中占據(jù)先機(jī)。而隨著2020年5G逐漸步入商用，使物聯(lián)網(wǎng)逐漸成為現(xiàn)實(shí)；以及國(guó)防信息化推進(jìn)加速，化合物半導(dǎo)體將來(lái)爆發(fā)。
  • 關(guān)鍵字： 5G  GaAs   

我國(guó)發(fā)展化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正當(dāng)時(shí)

  • 當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點(diǎn)，我國(guó)應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動(dòng)權(quán)。
  • 關(guān)鍵字： GaAs  GaN  

瑞典新興公司宣布針對(duì)太陽(yáng)能的納米線突破技術(shù) 具備可提高模組性能50％以上的潛力

  • 　　瑞典隆德4月22日，在一項(xiàng)針對(duì)太陽(yáng)能的重大突破技術(shù)上，瑞典的先進(jìn)材料新興公司Sol Voltaics AB已經(jīng)證明其納米線技術(shù)在薄膜上取得了校準(zhǔn)和定向的成功。此項(xiàng)成就彰顯太陽(yáng)能納米線制造迄今最重要的技術(shù)里程碑，為光伏(PV)模組實(shí)現(xiàn)27%及更高的轉(zhuǎn)換效率鋪平了道路—此舉將使現(xiàn)今的太陽(yáng)能模組轉(zhuǎn)換效率提升50%。　　納米線在太陽(yáng)能發(fā)電上展現(xiàn)出了前景可期的特性，但由于高深寬比及材料特性卻使納米線非常難以校準(zhǔn)。通過(guò)在標(biāo)準(zhǔn)尺寸晶圓上以厘米級(jí)控制納米線的校準(zhǔn)和定向，Sol Volta
  • 關(guān)鍵字： GaAs  模組  

10W高線性802.11n功率放大芯片設(shè)計(jì)

  • 本文介紹了一款用于無(wú)線局域網(wǎng)802.11n的10W功率放大芯片。該芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特點(diǎn)，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技術(shù)，芯片面積僅為10mm×10mm。功率放大器采用了熱分流式結(jié)構(gòu)，飽和輸出功率可達(dá)41dBm，功率附加效率達(dá)到40%，功率增益為38dB。此外芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)了50歐姆的輸入輸出匹配電路與片內(nèi)ESD保護(hù)電路，方便用戶安全使用。
  • 關(guān)鍵字： 功率放大器  802.11n  GaAs HBT  熱分流  201604  

硅基GaN射頻功放：正走向大規(guī)模商用

  • 　　硅基GaN潛力大 　　近日，MACOM在京召開新聞發(fā)布會(huì)，MACOM全球銷售高級(jí)副總裁黃東鉉語(yǔ)出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場(chǎng)。” 　　圖1 GaN的巨大潛力 　　如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場(chǎng)份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場(chǎng)，而未來(lái)潛在GaN射頻是占絕大部分的藍(lán)海。
  • 關(guān)鍵字： GaAs  GaN  

2018年GaAs射頻器件收入將飆升至80億美元

  • 　　根據(jù)StrategyAnalytics高端半導(dǎo)體應(yīng)用(ASA)電子數(shù)據(jù)表模型和GaAs器件預(yù)測(cè)與前景展望報(bào)告顯示，手機(jī)終端中砷化鎵的應(yīng)用仍然是GaAs器件增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力，GaAs器件市場(chǎng)繼2014年創(chuàng)下射頻器件收入記錄后，有望在今年突破70億美元大關(guān)，預(yù)計(jì)到2019年總收入將飆升至峰值80億美元。報(bào)告提到，雖然價(jià)格侵蝕與技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)將削減其增長(zhǎng)速度，但是GaAs器件收入將繼續(xù)保持增長(zhǎng)的勢(shì)頭。 　　報(bào)告得出結(jié)論，無(wú)線應(yīng)用仍然是GaAs器件的主要市場(chǎng)，占據(jù)了總額的約80%。其中,無(wú)線應(yīng)用中的手機(jī)終端占據(jù)了
  • 關(guān)鍵字： GaAs  射頻器  

高效率高諧波抑制功率放大器的設(shè)計(jì)

  • 　　0 引言 　　隨著無(wú)線通信的快速發(fā)展和廣泛普及，無(wú)線系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)收發(fā)機(jī)的性能要求越來(lái)越高。功率放大器作為發(fā)射機(jī)的主要組成部分，其指標(biāo)決定著發(fā)射機(jī)的性能，如效率 決定著整機(jī)功耗，線性度決定著整機(jī)的動(dòng)態(tài)范圍，諧波分量大小又是發(fā)射機(jī)線性度的度量。傳統(tǒng)的功率放大器為了獲得較高效率，功放管通常會(huì)工作于飽和狀態(tài)，這 時(shí)將有大量的諧波分量產(chǎn)生。如果不對(duì)諧波分量加以回收和抑制，這不單會(huì)造成能量的浪費(fèi)，降低了其效率，還會(huì)對(duì)其他信道的信號(hào)造成干擾。 　　通常功率放大器為了獲得較高的效率和較低的諧波分量都使得功率放大器工
  • 關(guān)鍵字： 功率放大器  GaAs   

GaAs過(guò)時(shí)了 CMOS工藝將主宰移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代

  • 　　“硅是上帝送給人類的禮物，整個(gè)芯片業(yè)幾乎都拿到了這份禮物，無(wú)線通信領(lǐng)域應(yīng)該盡快得到它。”RFaxis公司市場(chǎng)與應(yīng)用工程副總裁錢永喜日前在接受媒體采訪時(shí)如是說(shuō)。他認(rèn)為傳統(tǒng)采用GaAs(砷化鎵)或SiGe(硅鍺)BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時(shí)代“該結(jié)束”了，純CMOS工藝RF前端IC將在未來(lái)十年內(nèi)主宰移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代。 　　業(yè)界對(duì)CMOS PA產(chǎn)品的熱情一直沒(méi)有減退。2014年6月，高通(Qualcomm)并購(gòu)CMOS PA供應(yīng)商Black S
  • 關(guān)鍵字： CMOS  GaAs  ZigBee  
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gaas hbt介紹

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